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一种高产额自成靶D-D中子管及其制作方法

基本信息

申请号 CN202110808804.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113543448A 公开（公告）日 2021-10-22
申请公布号 CN113543448A 申请公布日 2021-10-22
分类号 H05H3/06 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 刘洋;李康;汪永安;于轶鹏;李刚 申请（专利权）人 西安冠能中子探测技术有限公司
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 代理人 王少文
地址 710123 陕西省西安市长安区韦曲街办幸家坡村（西京学院内）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出一种高产额自成靶D‑D中子管及其制作方法，以解决在测井、在线分析等应用中，现有同位素中子源存在设备维修和操作防护困难、14MeV可控中子源存在防护困难和防护装置庞大、D‑D可控中子源存在中子产额不高的技术问题。中子管包括管壳组件、芯柱组件、气压调节组件、潘宁离子源组件、加速电极及自成靶组件；通电加热气压调节组件释放出一定量的氘气，潘宁离子源组件使氘气电离而产生氘离子，氘离子经加速电极加速后轰击自成靶靶面，发射出快中子；同时还提出上述高产额自成靶D‑D中子管的制作方法。本发明D‑D中子管在不使用情况下可以关断电源，其工作温度可达到175℃，D‑D中子产额达到1×107n/s以上。