一种硅片缓存装置

基本信息

申请号 CN201820866937.0 申请日 -
公开(公告)号 CN208433391U 公开(公告)日 2019-01-25
申请公布号 CN208433391U 申请公布日 2019-01-25
分类号 H01L21/677;H01L31/18;H01L21/683 分类 基本电气元件;
发明人 李思泉;陈海国;肖俊琳;钟雄雄;尹小玲;李伟强;郑楷熠 申请(专利权)人 深圳市旭控科技有限公司
代理机构 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 代理人 深圳市旭控科技有限公司
地址 518000 广东省深圳市龙华区龙华街道办事处富康社区和恒兴科技园C栋一楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提出一种硅片缓存装置,所述硅片缓存装置包括:支撑台、第一存储架及第二存储架;所述支撑台包括:底板及安装板;所述安装板与所述底板相互垂直,所述底板和所述安装板一体成型,所述第一存储架和所述第二存储架均垂直固定安装在所述安装板上,所述第一存储架、所述第二存储架和所述底板相互平行,所述第一存储架上设有贯穿所述第一储存架的上凹槽,所述第二存储架上设有贯穿所述第二存储架的下凹槽,所述上凹槽与所述下凹槽位于同一直线上;本实用新型提出的一种硅片缓存装置,具有自动双向缓存硅片和自动双向去缓存的功能,采用自动化设计,降低了人工成本,提高了工作效率。