首页/ 北京鼎臣石墨科技有限公司/ 专利详情

一种微米石墨薄片的高效插层剥离方法及低阶石墨插层化合物和微米薄壁多孔膨胀石墨

基本信息

申请号 CN201510279159.6 申请日 -
公开（公告）号 CN104828818B 公开（公告）日 2017-08-25
申请公布号 CN104828818B 申请公布日 2017-08-25
分类号 C01B32/225(2017.01)I 分类 无机化学;
发明人 王三胜 申请（专利权）人 北京鼎臣石墨科技有限公司
代理机构 北京永创新实专利事务所 代理人 姜荣丽
地址 100044 北京市海淀区永泽北路7号院4号楼3层101-303室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种微米石墨薄片的高效插层剥离方法及低阶石墨插层化合物和微米薄壁多孔膨胀石墨，采用一步法复合氧化插层体系，选用KMnO4为氧化剂，极性分子HClO4和平面极性小分子HNO3为复合氧化插层剂，极性小分子CH3COOH作为辅助插层剂。所述的低阶石墨插层化合物的插层阶数为3～5阶。所述的微米薄壁多孔膨胀石墨热冲击膨胀容积为508～588mL/g，且孔腔壁厚为微米级，而膨胀石墨表面和内部的孔径分布范围较大，在1μm～20μm之间，以大孔和中孔为主。本发明所述的制备方法简单，工艺过程简单，设备易操作；反应时间与传统制备方法比起来缩短了整个工艺过程时间，大大提高了制备膨胀石墨的效率。