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一种高散热LED芯片的制作方法

基本信息

申请号 CN201010520176.1 申请日 -
公开（公告）号 CN102456779A 公开（公告）日 2012-05-16
申请公布号 CN102456779A 申请公布日 2012-05-16
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 钟伟荣;蔡凤萍;李刚 申请（专利权）人 上海蓝宝光电材料有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201616 上海市松江区文俊路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种高散热LED芯片的制作方法，该方法包括设置衬底，该衬底具有第一表面和与该第一表面相反的第二表面；对该衬底的第一表面形成一复合型反射层，此一复合型反射层是由具方向性(directional)反射层和无方向性(omi-directional)反射层所构成；在该衬底第一表面形成的复合型反射层上晶圆键合一散热性良好的基板；以及在该第二表面上形成出光结构，从该出光结构发射的光包括远离该衬底方向传播的光以及向着该衬底方向传播的光，向着该衬底方向传播的光至少部分地透过该衬底，并且透过衬底的光被该复合型反射层反射。本发明还提供由该方法制作的高散热LED芯片。