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一种氮化镓系高压发光二极管及其制作方法

基本信息

申请号 CN201210290019.5 申请日 -
公开（公告）号 CN102769023A 公开（公告）日 2012-11-07
申请公布号 CN102769023A 申请公布日 2012-11-07
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 冯文泉;武乐可;钟伟荣;熊威 申请（专利权）人 上海蓝宝光电材料有限公司
代理机构 上海三和万国知识产权代理事务所 代理人 上海蓝宝光电材料有限公司
地址 201616 上海市松江区文俊路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种氮化镓系高压发光二极管，包括有若干发光单元，该发光单元形成于同一衬底上，发光单元之间由绝缘沟道隔开，各发光单元通过金属连接线串联或并联，绝缘沟道中具有填充层，所述金属连接线位于该填充层上；发光单元包括有一层N型氮化镓半导体层和一层P型氮化镓半导体层，P型氮化镓半导体层上具有透明导电膜和正电极，N型氮化镓半导体层上具有负电极；填充层由绝缘耐热材料以旋转涂布的方式形成。利用旋转机涂布一层填充层，将各发光单元之间的绝缘沟道加以填充，然后再利用回蚀的方式，不管ICP深刻蚀后的侧壁形貌如何，都可以加以填充，最后将发光单元的表面曝露出来，可防止因发光单元高度太大而造成断线或连线不佳。