一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011496510.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112731777A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112731777A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | G03F7/42 | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 刘江华;冯继恒;尹淞;鲁晨泓;张建 | 申请（专利权）人 | 芯越微电子材料（嘉兴）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314200 浙江省嘉兴市平湖市钟埭街道新明路901号3号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种适用半导体集成电路的光刻胶剥离液及制备方法，包括非腐蚀性有机胺和极性非离子溶剂；以质量百分比计，非腐蚀性有机胺1‑70％，极性非离子溶剂30‑99％。本发明不含有腐蚀性的强碱，清洗后无光刻胶残留，可直接水洗，不会产生金属层腐蚀。 |
