一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
基本信息
| 申请号 | CN202011491737.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112608685A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112608685A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 张建;冯继恒;尹淞;鲁晨泓 | 申请（专利权）人 | 芯越微电子材料（嘉兴）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314200浙江省嘉兴市平湖市钟埭街道新明路901号3号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，包括研磨颗粒、水、一种或多种的氧化剂和降低硅片表面粗糙度的非离子表面活性剂；以重量百分比浓度计，包括研磨颗粒0.1‑30％，氧化剂0.1‑20％，非离子表面活性剂0.001‑5％。本发明可以在碱性条件下显著改变多晶硅的去除速率，较低的硅表面粗糙度，调节多晶硅与二氧化硅的选择比，并明显提高多晶硅的平坦化效率和抛光残留物的去除。 |
