一种超结MOSFET的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201210292876.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102931090B | 公开（公告）日 | 2015-06-03 |
| 申请公布号 | CN102931090B | 申请公布日 | 2015-06-03 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈桥梁;任文珍;陈仕全;马治军;杜忠鹏 | 申请（专利权）人 | 西安龙飞电气技术有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司;陕西龙飞新能源科技有限公司 |
| 地址 | 710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种超结MOSFET的制造方法。本发明通过以下步骤实现：提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层，之后形成p阱区、复合缓冲层；在硅片上生长场氧化层；通过光刻场氧化层界定出器件元胞区，以及预留部分场氧作为源区n+注入的阻挡层；生长栅氧化层，淀积多晶硅，并通过光刻界定出多晶硅栅极的区域；用多晶硅层及场氧层作为源区n型杂质离子注入的阻挡层，并进行推阱形成源区n+；与整个半导体硅片表面淀积介质层；通过光刻，界定出接触孔区域，并进行介质层刻蚀，刻蚀出接触孔；在介质层上淀积金属层，并刻蚀。本发明可以用传统的半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度，从而降低生产成本。 |
