改善雪崩能力的超结终端结构及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011005472.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112349769A | 公开（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申请公布号 | CN112349769A | 申请公布日 | 2021-02-09 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖晓军;张园园;张军亮 | 申请（专利权）人 | 西安龙飞电气技术有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李罡 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路凯瑞A座304-04室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，在N+衬底上生长N‑外延；在N‑外延注入N型杂质，在终端区的注入尺寸为X3＞X2＞X1；在N‑外延表面，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，使之填充满深沟槽；进行CMP工艺，将深沟槽外的P型外延及N‑外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区；淀积场氧层成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P，推阱形成N‑source；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明在相同的雪崩能力要求下，可以有效的减小终端面积，提高器件的电流处理能力，降低器件成本。 |
