超结器件的结终端结构
基本信息
| 申请号 | CN201210371525.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102931218B | 公开（公告）日 | 2015-03-18 |
| 申请公布号 | CN102931218B | 申请公布日 | 2015-03-18 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈桥梁;姜贯军;陈仕全;马治军;杜忠鹏 | 申请（专利权）人 | 西安龙飞电气技术有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司;陕西龙飞新能源科技有限公司 |
| 地址 | 710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种超结器件的结终端结构。本发明的结终端结构的结终端区设置若干个不均匀掺杂P柱，P柱的补偿注入掩膜板上设置有不连续的阻挡图形；若干个不均匀掺杂P柱通过对均匀掺杂P柱的不均匀杂质补偿注入来实现，在深槽刻蚀及外延填充或多次外延多次离子注入方式形成均匀掺杂P柱后，从版图设计上进行相应调整P柱的磷离子补偿注入的有效注入面积；不连续的阻挡图形通过调整磷离子补偿注入区域的阻挡图形的大小与数目，决定了P柱的补偿注入的有效注入面积。本发明可以有效地改善结终端器件的击穿电压特性，并且具有较短的结终端长度，使得器件的总体器件面积得到缩小，在相同的芯片面积上进一步减小了器件导通电阻。 |
