一种超结器件的结终端结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310489678.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103560148B | 公开（公告）日 | 2016-03-23 |
| 申请公布号 | CN103560148B | 申请公布日 | 2016-03-23 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜贯军;陈桥梁;陈仕全;马治军;张园园;杜忠鹏 | 申请（专利权）人 | 西安龙飞电气技术有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司;陕西龙飞新能源科技有限公司;龙腾半导体股份有限公司;西安龙飞电气技术有限公司 |
| 地址 | 710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种超结器件的结终端结构及其制造方法。超结器件的结终端结构通常采用多个与元胞区基本相同的多个P柱，对于结终端区域的有效电场分量从硅外延层体内的纵向电场逐渐过渡到表面的横向电场，因而传统的超结器件结终端结构不能很好地承受较高的击穿电压。本发明超结器件的结终端区设置数个间隔的P柱，每个P柱内通过设置不连续的二氧化硅隔离区将P柱分隔成多段P柱区。本发明超结器件的结终端结构能够更好地实现电势分布，减小了超结器件的结终端的面积，从而减小了超结器件的制作成本。 |
