可改善雪崩能力的超结半导体器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310491435.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103560086B | 公开（公告）日 | 2016-08-31 |
| 申请公布号 | CN103560086B | 申请公布日 | 2016-08-31 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜贯军;陈桥梁;陈仕全;马治军;杜忠鹏 | 申请（专利权）人 | 西安龙飞电气技术有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司;陕西龙飞新能源科技有限公司;龙腾半导体股份有限公司;西安龙飞电气技术有限公司 |
| 地址 | 710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种可改善雪崩能力的超结半导体器件的制备方法。传统较高的P柱掺杂浓度加剧了横向扩散使得导通电阻相应增大，且P柱与N柱电荷的失衡使得击穿电压的降低。本发明利用外延工艺，形成N型外延层；进行硼离子注入形成P型N型外延层；硼离子注入剂量逐次增加，然后在高温下推结形成P型与N型交替的外延层；注入硼离子形成Pbody区；使用干法刻蚀多晶硅形成多晶硅栅电极；注入砷离子，形成N+源区；在整个器件的上表面淀积一层铝，并刻蚀铝形成源金属电极，背面金属化形成漏电极。本发明所得的超结半导体器件在提高了超结半导体器件的雪崩能力同时减小了导通电阻。 |
