一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201910317300.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110016718A | 公开（公告）日 | 2019-07-16 |
| 申请公布号 | CN110016718A | 申请公布日 | 2019-07-16 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 康淮;陈鹏磊;高冰;刘胜 | 申请（专利权）人 | 浙江凯成半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人 | 天通凯成半导体材料有限公司 |
| 地址 | 314400 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法，在PVT法生长碳化硅晶体前，将盛有β‑SiC粉末的石墨坩埚放入高温加热炉中，在氩气气氛中进行循环蒸发冷凝处理。本发明使用β‑SiC粉末代替α‑SiC粉末，并采用循环蒸发冷凝的方式对β‑SiC粉末进行提纯，能有效的降低原料和籽晶的温度梯度，减少粉料的石墨化，并且纯化过程去除了粉末中的杂质，减少了SiC粉末结块，同时生成了粒度均匀的SiC粉末能显著的改善气相传输和升华速率。 |
