一种片上电阻
基本信息
| 申请号 | CN202121497140.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216015364U | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN216015364U | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L23/64（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 应子罡;徐秀波;李广辉;吴宗桂;杨丽丽;张雄波 | 申请（专利权）人 | 北京国科天迅科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王毅 |
| 地址 | 100744北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街8号院6号楼7层701室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种片上电阻，涉及电阻技术领域，所述片上电阻包括具有第一宽度的多晶硅层；其中，所述第一宽度为0.18um，本实用新型通过创造性地将多晶硅电阻宽度尺寸由现有技术中的1um减小到有源管的最小栅宽尺寸0.18um，大大降低了片上电阻的面积。即利用了有源管的最小栅宽尺寸实现的更小宽度的多晶硅电阻，同片外方案相比，使得直流失调消除相应的电路减小了4个芯片管脚和两个片外电容，同片上方案相比，片上电阻面积至少减小到原来的1/3。 |
