PECVD镀膜装置
基本信息
| 申请号 | CN201320858530.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203653695U | 公开（公告）日 | 2014-06-18 |
| 申请公布号 | CN203653695U | 申请公布日 | 2014-06-18 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 陈立国;吕旭东;李海燕;张受业;陈伟岸;贺艳;赵萌;朱惠钦 | 申请（专利权）人 | 北京北印东源新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京庆峰财智知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京北印东源新材料科技有限公司 |
| 地址 | 101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖东二路8号1幢1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种PECVD镀膜装置。该PECVD镀膜装置包括：预处理室（10），用于对基材（40）进行表面预处理；镀膜室（20），位于预处理室（10）下游，用于对经预处理室（10）预处理的基材（40）进行镀膜；以及收料室（30），设置在镀膜室（20）下游，用于收集经镀膜室（20）镀膜的基材（40）；预处理室（10）、镀膜室（20）以及收料室（30）之间为真空密封连接。本实用新型所提供的PECVD镀膜装置，能够保证基材表面处理时的清洁度，保证基材表面的镀膜质量。 |
