可降低阈值电流的巴条类半导体激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011563411.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112688165A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112688165A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/12(2021.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛森;邱智贤;毛虎;焦英豪;谭武烈 | 申请（专利权）人 | 勒威半导体技术（嘉兴）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市特讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陆丽芳 |
| 地址 | 314200浙江省嘉兴市平湖市钟埭街道福善线钟南段288号智创园G2栋1-2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种可降低阈值电流的巴条类半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层和绝缘层，所述欧姆接触层设有与第二限制层接触的X射线自支撑闪耀透射光栅层，所述衬底上接触面设有梯形台，梯形台横向平行于衬底的解理面，梯形台纵向垂直于衬底的解理面，且解理面是半导体激光器的腔面。本发明可以降低阈值电流，提高腔面COD功率。还能提高半导体激光器的高分辨率和获得较高的衍射效率。 |
