一种超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011511284.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112636164A | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112636164A | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01S5/024;H01S5/10;H01S5/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛虎;邱智贤;毛森;焦英豪 | 申请（专利权）人 | 勒威半导体技术（嘉兴）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市特讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陆丽芳 |
| 地址 | 314200 浙江省嘉兴市平湖市钟埭街道福善线钟南段288号智创园G2栋1-2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一金属化层、第一限制层、第一波导层、第一过渡层、有源层、第二过渡层、第二波导层、第二限制层和第二金属化层，所述第二金属化层的上表面开设有至少两条沟槽，相邻沟槽之间设有载流子限制绝缘凸起，前后腔面分别镀有增透膜和银反射刻蚀膜。本发明中，绝缘层厚度降低可以使半导体激光器的散热更加快速，有利于半导体激光器功率和寿命的提高。干法蚀刻利用Ar的电离对银膜进行轰击，可达到对银膜的蚀刻效果。 |
