一种巴条类半导体激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011563403.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112713506A | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN112713506A | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | H01S5/12;H01S5/20;H01S5/22 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛森;邱智贤;毛虎;焦英豪;谭武烈 | 申请（专利权）人 | 勒威半导体技术（嘉兴）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市特讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陆丽芳 |
| 地址 | 314200 浙江省嘉兴市平湖市钟埭街道福善线钟南段288号智创园G2栋1-2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种巴条类半导体激光器及其制备方法，巴条类半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层、欧姆接触层和绝缘层，所述欧姆接触层设有与上包层接触的X射线自支撑闪耀透射光栅层，所述衬底上接触面设有梯形台，梯形台横向平行于衬底的解理面，梯形台纵向垂直于衬底的解理面，且解理面是半导体激光器的腔面。本发明发光区有源层四周都为低折射率高带隙的上包层，降低阈值电流，提高腔面COD功率。设置透射光栅层，提高半导体激光器的高分辨率，使其具有高光束质量优势。 |
