一种半导体击穿测试装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202111178760.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113608087A | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN113608087A | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | G01R31/12（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张文臣 | 申请（专利权）人 | 深圳市赛元微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京专赢专利代理有限公司 | 代理人 | 陈进 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼B610 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于半导体生产相关领域，提供了一种半导体击穿测试装置及方法，包括传送带、扫描识别设备、测试机构和变流机构。传送带将半导体持续输送到扫描识别设备以及测试机构所在的位置，扫描识别设备对半导体的型号和引脚数量进行识别，控制测试机构对不同型号的半导体进行测试，兼容性较好，并且连续自动测试提高工作效率；变流机构使得通入测试机构和半导体中的电流逐渐增大，能够精准捕捉到击穿半导体的极限最大电流值，使得测试准确性更高。 |
