半导体结构及其ESD器件
基本信息
| 申请号 | CN201921831653.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210296371U | 公开（公告）日 | 2020-04-10 |
| 申请公布号 | CN210296371U | 申请公布日 | 2020-04-10 |
| 分类号 | H01L27/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周斌 | 申请（专利权）人 | 深圳市赛元微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 骆希聪 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼B610 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种ESD器件，包括：第一类型的衬底第二类型的阱区、至少一组第一类型MOS器件、至少一组第二类型MOS器件、位于阱区且围绕一个或多个第一类型MOS器件的第二类型的第一扩散区、位于衬底且围绕一个或多个第一类型MOS器件的第一类型的第二扩散区、位于衬底且依次围绕一个或多个第二类型MOS器件的第一类型的第三扩散区和位于衬底且围绕一个或多个第二类型MOS器件的第二类型的第四扩散区。其中，第一至第四扩散区在第一类型MOS器件和第二类型MOS器件之间的部分沿第一方向延伸，且第一栅极和第二栅极的延伸方向平行于第一方向，第一类型与第二类型相反。 |
