一种具有halbach阵列结构效应的瓦型磁体及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911023913.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110943554A | 公开（公告）日 | 2020-03-31 |
| 申请公布号 | CN110943554A | 申请公布日 | 2020-03-31 |
| 分类号 | H02K1/06(2006.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 柴晓峰;郭强;吕欢剑;郭德森;李辉 | 申请（专利权）人 | 杭州史宾纳科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州九洲专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州史宾纳科技有限公司 |
| 地址 | 311307浙江省杭州市临安市青山湖科技城横畈街979号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有halbach阵列结构效应的瓦型磁体及制造方法，涉及磁瓦成型取向领域，该方法改变传统磁瓦成型过程中平行取向或者辐射取向的方式，设计独特的磁场取向成型系统，使得磁瓦内部磁矩呈halbach阵列结构排列。该方法制备的磁瓦拼装组合的磁环表面磁通密度呈良好的正弦波分布，且具有单边聚磁效应，工作面气隙磁场强度得到提高，磁能利用率高，不存在性能损失，可广泛应用于电机设计中。 |
