压力热处理驱动Nd-Cu晶界扩散改善钕铁硼磁性的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

压力热处理驱动Nd-Cu晶界扩散改善钕铁硼磁性的方法

基本信息

申请号	CN201910808100.X	申请日	-
公开（公告）号	CN110571038A	公开（公告）日	2019-12-13
申请公布号	CN110571038A	申请公布日	2019-12-13
分类号	H01F41/02（2006.01）; H01F1/055（2006.01）	分类	基本电气元件;
发明人	柴晓峰; 毛建星; 邹买金	申请（专利权）人	杭州史宾纳科技有限公司
代理机构	杭州九洲专利事务所有限公司	代理人	杭州史宾纳科技有限公司
地址	311307 浙江省杭州市临安市青山湖科技城大园路横畈街979号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种压力热处理驱动Nd‑Cu晶界扩散改善钕铁硼磁性的方法，具体步骤如下：采用真空快淬工艺制备Nd‑Cu粉料，分别取纯度99.5％金属钕和纯度99.5％铜金属按重量比例3:7配比，配比好的材料放入真空熔炼炉内熔炼注锭，再将合金锭放入真空快淬炉中制成Nd‑Cu粉末，将Nd‑Cu粉料和热压钕铁硼MQP‑M型粉料按0.88：100的重量比例配比，将配好的粉料倒入到真空混料机中均匀混合；取混合粉料放到压机上压制并保压。本发明的有益效果为：通过压力热处理驱动Nd‑Cu晶界扩散与传统热压钕铁硼压制的磁环两者之间的对比，传统热压钕铁硼压制内禀矫顽力为15kOe，按本发明的混合材料配比参数，采用我们压力热处理驱动Nd‑Cu晶界扩散的方法其Br提高到14.6kG,Hcj提高到20KOe，(BH)m提高到51.1MGOe,退磁曲线方形度Hk/Hci>90％。