一种具有halbach阵列结构效应的瓦型磁体
基本信息
| 申请号 | CN201921808530.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211701627U | 公开（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申请公布号 | CN211701627U | 申请公布日 | 2020-10-16 |
| 分类号 | H02K1/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 柴晓峰;郭强;吕欢剑;郭德森;李辉 | 申请（专利权）人 | 杭州史宾纳科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州九洲专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州史宾纳科技有限公司 |
| 地址 | 311307浙江省杭州市临安市青山湖科技城横畈街979号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种具有halbach阵列结构效应的瓦型磁体，主要包括磁瓦，所述磁瓦内部磁矩呈halbach阵列结构排列，由此磁瓦拼装组合成的磁环工作面表面磁通密度呈良好的正弦波分布，通过磁场成型取向装置由直流电源通过线圈产生取向磁场。本实用新型改变传统磁瓦成型过程中平行取向或者辐射取向的方式，设计独特的磁场取向成型系统，使得磁瓦内部磁矩呈halbach阵列结构排列。 |
