静磁耦合高性能复合粘结钕铁硼磁体
基本信息
| 申请号 | CN202010052305.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111261354A | 公开（公告）日 | 2020-06-09 |
| 申请公布号 | CN111261354A | 申请公布日 | 2020-06-09 |
| 分类号 | H01F1/057(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 柴晓峰;李东;毛建星;盛柳燕 | 申请（专利权）人 | 杭州史宾纳科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州九洲专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州史宾纳科技有限公司 |
| 地址 | 311307浙江省杭州市临安市青山湖科技城横畈街979号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种静磁耦合高性能复合粘结钕铁硼磁体，矫顽力Hci在2k‑4kOe的粉末为10‑40重量份和矫顽力Hci在7k‑17kOe的粉末为60‑90重量份制备出的复合磁体，两种粉末矫顽力相差3k‑15kOe通过静磁耦合改善复合粘结磁体的性能。本发明的有益效果为：两种矫顽力高低悬殊的磁粉之间发生的磁性能相互作用的结果通配比形成静磁耦合，可以加入尼龙12增大静磁耦合效果，静磁耦合能大幅度改善复合粘结磁体的性能。 |
