一种超硬耐高温Ta-C涂层的制备工艺
基本信息

| 申请号 | CN202110296863.8 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN113061844A | 公开(公告)日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113061844A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/02 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张心凤;夏正卫;李灿民;范洪跃 | 申请(专利权)人 | 安徽纯源镀膜科技有限公司 |
| 代理机构 | 合肥九道和专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 胡发丁 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区永和路99号一天电气F厂房101-A区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明涉及一种超硬耐高温Ta‑C涂层的制备工艺,包括将工件置于真空腔室内,对真空腔室进行抽气处理,抽气处理后对真空腔室、纯离子镀膜源、工件中的一者或几者进行除杂处理,除杂处理后,采用溅射镀膜在工件表面依次制备种子层、金属过渡层、Ta‑C过渡层、Ta‑C交替层和Ta‑C主功能层,所述的种子层为Ni、Cr、NiCr、NiAl中的一者;金属过渡层为Ti、TiSi、TiAl、TiCr中的一者;制备Ta‑C过渡层时,工件连接的偏压值为T1的偏压;制备Ta‑C交替层时,工件交替连接偏压值为T2、T3的偏压,制备Ta‑C主功能层时,工件连接偏压值为T4的偏压,其中T1>T2>T3>T4。本发明提供的上述方案,其制备的膜层性能优异,膜层超硬且耐高温。 |





