晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202123390633.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216786304U | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN216786304U | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 颜子棋 | 申请（专利权）人 | 中环领先（徐州）半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种晶体生长装置，包括炉体、隔离阀和护套组件，炉体内限定出炉腔，炉腔包括主室、隔离室和副室，隔离室设于主室和副室之间，且与主室和副室分别连通，隔离阀设于隔离室，且用于隔断或导通隔离室，护套组件的至少部分设于隔离室，护套组件限定出连通通道以连通主室和副室，护套组件适于套设于晶体外，隔离阀导通隔离室时在炉体的径向上，护套组件适于将晶体与隔离室的周壁面以及隔离阀间隔开。根据本实用新型的晶体生长装置，可以减小保护气流流场不恒定对晶体生长的影响，有利于提升晶体生长效率以及晶体品质。 |
