一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘

基本信息

申请号	CN201521133082.3	申请日	-
公开（公告）号	CN205313714U	公开（公告）日	2016-06-15
申请公布号	CN205313714U	申请公布日	2016-06-15
分类号	C30B25/12(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	刘小平;孙钱;孙秀建;黄应南;詹晓宁;吕小翠;张晗芸	申请（专利权）人	常州卓樾科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘，涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘包括石墨盘盘体及分布于盘体上表面用于放置硅衬底的多个圆形凹槽；每个凹槽中包括：槽体、环形上凸底面、第一侧壁、圆台以及第二侧壁。所述凹槽在盘体上的分布分为内与外圈；所述内和外圈凹槽的环形上凸底面高度值相同时外圈凹槽的圆台高度值比内圈凹槽的低2-30um，或者，所述内和外圈凹槽的圆台高度值相同时外圈凹槽的环形上凸底面高度值比内圈凹槽的高2-30um。本实用新型能有效缩小MOCVD中硅基氮化物各圈波长均值差异较大的现象，提高硅衬底GaN基外延生长的波长均匀性与良率，并且延长MOCVD设备中一些零部件的使用寿命。