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一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘

基本信息

申请号 CN201521131002.0 申请日 -
公开（公告）号 CN205313713U 公开（公告）日 2016-06-15
申请公布号 CN205313713U 申请公布日 2016-06-15
分类号 C30B25/12(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘小平;孙钱;孔列江;孙秀建;鲁德;李增成 申请（专利权）人 常州卓樾科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘，涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘包括石墨盘盘体，在石墨盘盘体上设有多个用于放置硅衬底的圆形凹槽；每个凹槽中包括：槽体、底面、第一侧壁、圆台以及第二侧壁，其中，底面为位于槽体底部，且底面为环形、向上拱形凸起；第一侧壁自底面边缘背离石墨盘盘体弯折延伸而成；圆台自第一侧壁的顶端向外弯折延伸而成；第二侧壁自圆台边缘背离石墨盘盘体弯折延伸而成，第二侧壁的顶端与槽体表面内边缘相接。本实用新型有效解决了硅衬底III-V族氮化物外延生长过程中由于外延片翘曲带来的温场不均匀分布，改善硅衬底III-V族氮化物外延生长的品质与外观及片内波长均匀性。