一种高压LED芯片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410082227.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104900766B | 公开（公告）日 | 2018-03-27 |
| 申请公布号 | CN104900766B | 申请公布日 | 2018-03-27 |
| 分类号 | H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 封波;邓彪;孙钱;赵汉民;王敏 | 申请（专利权）人 | 常州卓樾科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 213146 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高压LED芯片的制备方法，该方法包括在反射金属层的部分区域上形成多个第一凹槽和第一沟槽，在反射金属层上的第一绝缘层的部分区域形成多个第二沟槽，在电流扩散金属层的部分区域形成多个第三沟槽，在第二绝缘层的部分区域形成多个第二凹槽，在N型GaN层形成多个第四沟槽。通过这些沟槽和凹槽导电连通，形成高压芯片。由该方法制得的高压LED芯片可以直接采用较高电压驱动，没有电流拥塞，散热优良。 |
