一种硅衬底氮化物紫外LED芯片结构及其实现方法
基本信息
| 申请号 | CN201610171718.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105720144A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN105720144A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/46 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘乐功;李增成;鲁德;孙钱;赵汉民 | 申请（专利权）人 | 常州卓樾科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种硅衬底氮化物紫外LED芯片结构及其制备方法，在该LED芯片制备方法中包括：制备外延结构，所述外延结构中包括生长衬底和应力控制层；对所述外延结构进行表面处理；在所述外延结构上沉积反射层，并对所述反射层做图形化处理；在图形化后的反射层上沉积键合层；利用键合技术将沉积了键合层的外延结构与支撑基板键合；去除所述生长衬底和部分所述应力控制层；对所述应力控制层进行粗化形成粗化层；在所述粗化层表面制作用于导电的格栅和负极焊盘，完成所述硅衬底氮化物紫外LED芯片结构的制备。其在热导率高的硅衬底上生长紫外LED外延结构，并制备硅衬底紫外LED垂直结构芯片，具有散热好，芯片良率高，成本低的优势。 |
