一种氮化镓基发光二极管外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201510070273.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105990478A | 公开（公告）日 | 2016-10-05 |
| 申请公布号 | CN105990478A | 申请公布日 | 2016-10-05 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙钱;李增成;黄应南;孙秀建;鲁德;刘小平 | 申请（专利权）人 | 常州卓樾科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构，从下至上依次包括：衬底、应力控制层、n型GaN层、应力缓冲层、多量子阱有源层、间隔层、电子阻挡层、p型GaN层和欧姆接触层，其特征在于，该发光二极管外延结构还包括在所述多量子阱有源层下方设有禁带宽度大于n型GaN的电流扩展层。该外延结构可以有效的减少发光二极管在大电流条件下工作时有源区中电子的泄漏，并能够有效的提高空穴-电子对的辐射复合效率，改善LED的抗静电特性。 |
