一种含MAX相界面层的SiC<sub>f</sub>/SiC复合材料的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种含MAX相界面层的SiC_f/SiC复合材料的制备方法

基本信息

申请号	CN201811524813.5	申请日	-
公开（公告）号	CN109608217B	公开（公告）日	2021-09-03
申请公布号	CN109608217B	申请公布日	2021-09-03
分类号	C04B35/80;C04B35/622;C04B35/84;C04B35/565	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	黄小忠;王春齐;唐云;彭立华	申请（专利权）人	湖南博翔新材料有限公司
代理机构	长沙市融智专利事务所（普通合伙）	代理人	魏娟
地址	410000 湖南省长沙市高新开发区文轩路518号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种含MAX相界面层的SiC_f/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积，获得含MAX相界面层的SiC纤维，然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiC_f/SiC复合材料；所述MAX相为Ti₃SiC₂；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti₃SiC₂，所述Ti₃SiC₂的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含MAX相界面层的SiC_f/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用双先驱体浸渍法，有效的提升了浸渍效率，并获得了化学计量比的碳化硅陶瓷。