一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811524813.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109608217A | 公开（公告）日 | 2019-04-12 |
| 申请公布号 | CN109608217A | 申请公布日 | 2019-04-12 |
| 分类号 | C04B35/80;C04B35/622;C04B35/84;C04B35/565 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 黄小忠;王春齐;唐云;彭立华 | 申请（专利权）人 | 湖南博翔新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 | 代理人 | 湖南博翔新材料有限公司;湖南泽睿新材料有限公司 |
| 地址 | 410205 湖南省长沙市高新开发区文轩路518号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积，获得含MAX相界面层的SiC纤维，然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiCf/SiC复合材料；所述MAX相为Ti3SiC2；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用双先驱体浸渍法，有效的提升了浸渍效率，并获得了化学计量比的碳化硅陶瓷。 |
