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一种背接触晶体硅太阳能电池及其制作工艺

基本信息

申请号	CN201210085796.6	申请日	-
公开（公告）号	CN102610686B	公开（公告）日	2014-08-20
申请公布号	CN102610686B	申请公布日	2014-08-20
分类号	H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	殷晏庭;王艳	申请（专利权）人	星尚光伏科技（苏州）有限公司
代理机构	南京纵横知识产权代理有限公司	代理人	星尚光伏科技（苏州）有限公司
地址	215129 江苏省苏州市高新区金枫路555号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种背接触硅太阳能电池，包括经过表面织构化的N型单晶硅片，正面设有第一N型重掺杂层，外面依次设有第一SiO₂钝化层和减反射膜层；背面设有相互间隔设置的第二N型重掺杂层和P型重掺杂层，外设有第二二氧化硅钝化层，第二N型重掺杂层处的第二SiO₂钝化层外依次设有重掺杂AZO薄膜层和银浆；所述P型重掺杂层处的第二SiO₂钝化层外依次设有重掺杂CuAlO₂薄膜层覆和银铝浆。本发明还公开了一种背接触硅太阳能电池的制作工艺。本发明解决了现有技术中太阳能电池转换效率低下，而背接触电池由于普遍采用激光打孔制作成本高昂的问题，经过工艺改进做到接触面重掺杂，附着重掺低阻TCO材料形成隧道电流，并且选择采用低温浆料烧结法，在保证电池效率的前提下降低了制作成本。