一种半导体材料的触头制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911017260.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110767543B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN110767543B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 闫一方 | 申请（专利权）人 | 苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京和联顺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谢冰 |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体材料的触头制作方法，涉及材料科学技术领域。该半导体材料的触头制作方法，包括以下步骤：S1.准备一半导体材料作为基板，对基板的表面进行抛光处理，然后去除基板表面的污物，并将基板放入到HCl溶液中浸泡3‑5min，取出后放入到真空环境中，利用去离子水对其表面进行反复冲洗，最后利用氮气对其进行干燥处理；S2.在基板表面形成多个触头区，然后利用溅射法对基板表面进行钝化，形成二氧化硅钝化层，钝化温度为800‑1200℃。通过制作触头的过程中，在基板的表面形成两层钝化层，使得半导体材料的表面以及触头位置都不易受到腐蚀，大大提高了基板以及触头的性能，从而让半导体器件使用的稳定性较好。 |
