一种半导体器件温度特性测量仪器

基本信息

申请号 CN202110940274.9 申请日 -
公开(公告)号 CN113391183A 公开(公告)日 2021-09-14
申请公布号 CN113391183A 申请公布日 2021-09-14
分类号 G01R31/26(2014.01)I;G01R1/02(2006.01)I;G01R1/04(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 闫长春 申请(专利权)人 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司
代理机构 北京棘龙知识产权代理有限公司 代理人 张开
地址 212000江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体器件温度特性测量仪器,属于半导体检测技术领域。一种半导体器件温度特性测量仪器,包括箱体,还包括:固定架,固定在所述箱体内;其中,固定架上对称设有检测槽,所述检测槽内设有第一电极,所述固定架上设有两组电流表,所述电流表与第一电极电性连接;双向丝杆,转动连接在所述箱体内;其中,所述双向丝杆两端对称螺纹连接有滑块,所述滑块上设有夹持槽,所述夹持槽内设有第二电极,所述第二电极与第一电极位置相匹配,所述滑块上设有蓄电池;本发明通过抽排液机构、加热箱、导热管的设置便于保证两组检测槽具有相同的温度,电流表的设置便于直观观察半导体器件样品和标准件的温度特性的差异。