超电容的组装架构及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201210128593.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102760584B | 公开（公告）日 | 2016-06-01 |
| 申请公布号 | CN102760584B | 申请公布日 | 2016-06-01 |
| 分类号 | H01G9/048(2006.01)I;H01G9/14(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪濂;农友华 | 申请（专利权）人 | 广西航天北斗新能源产业科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 胡林岭 |
| 地址 | 广西壮族自治区梧州市东出口两省交界处粤桂大厦3楼306室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种超电容的组装架构及制造方法，超电容包含：至少一第一电极基板，其表面涂布有一活性物质；以及至少一第二电极基板，其表面涂布有该活性物质，第二电极基板的极性与第一电极基板的极性相反；其中，第一电极基板与第二电极基板系交错堆迭，极性相同的数个第一电极基板或数个第二电极基板并联电连接；第一电极基板及第二电极基板的彼此堆迭处的相对表面各设置呈框状的一绝缘环，并在第一电极基板及第二电极基板的彼此堆迭处的相对表面与该绝缘环所围成的空间填充电解液。 |
