一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片
基本信息
| 申请号 | CN202011557123.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112615257A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112615257A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林志伟;陈凯轩;童吉楚;谢昆江;徐枫 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照激光芯片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361000福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路269号8楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片，其中激光器外延结构包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结，可以提高激光器内量子效应，有效提升激光器的性能。 |
