具有DDR高传输介面的新型SPI-NANDFlash存储芯片及操作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011177835.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112395218A | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN112395218A | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | G06F12/0882(2016.01)I;G06F15/78(2006.01)I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 郑文豪;施冠良;朱纯莹;黄欢;刘安伟 | 申请（专利权）人 | 南京扬贺扬微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 颜盈静 |
| 地址 | 210000江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢-80 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有高传输介面的新型SPI‑NAND Flash存储芯片，包括：可用于下发SPI命令的SPI命令逻辑控制单元、MCU数字逻辑单元、NAND Flash存储单元和DQS管脚；所述MCU数字逻辑单元包括DDR Ping缓冲器和DDR Pong缓冲器；所述NAND Flash存储单元包括静态随机存取存储器和NAND闪存，所述静态随机存取存储器包括数据缓冲器和寄存器；所述DQS管脚与SPI命令逻辑控制单元进行信号交换，所述MCU数字逻辑单元和NAND Flash存储单元进行信号交换，所述MCU数字逻辑单元内置DDR模式，实现DQS管脚读取NAND Flash存储单元的数据；根据SPI命令逻辑控制单元下发的SPI命令将资料载入数据缓冲器，下启动DDR命令启动DQS做同步信号Clock，通过Clock与DQS的信号而读取资料。 |
