具有DDR高传输介面的新型SPI-NANDFlash存储芯片及操作方法

基本信息

申请号 CN202011177835.6 申请日 -
公开(公告)号 CN112395218A 公开(公告)日 2021-02-23
申请公布号 CN112395218A 申请公布日 2021-02-23
分类号 G06F12/0882(2016.01)I;G06F15/78(2006.01)I 分类 计算;推算;计数;
发明人 郑文豪;施冠良;朱纯莹;黄欢;刘安伟 申请(专利权)人 南京扬贺扬微电子科技有限公司
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 代理人 颜盈静
地址 210000江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢-80
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有高传输介面的新型SPI‑NAND Flash存储芯片,包括:可用于下发SPI命令的SPI命令逻辑控制单元、MCU数字逻辑单元、NAND Flash存储单元和DQS管脚;所述MCU数字逻辑单元包括DDR Ping缓冲器和DDR Pong缓冲器;所述NAND Flash存储单元包括静态随机存取存储器和NAND闪存,所述静态随机存取存储器包括数据缓冲器和寄存器;所述DQS管脚与SPI命令逻辑控制单元进行信号交换,所述MCU数字逻辑单元和NAND Flash存储单元进行信号交换,所述MCU数字逻辑单元内置DDR模式,实现DQS管脚读取NAND Flash存储单元的数据;根据SPI命令逻辑控制单元下发的SPI命令将资料载入数据缓冲器,下启动DDR命令启动DQS做同步信号Clock,通过Clock与DQS的信号而读取资料。