用于构造5G基站射频滤波器的单晶压电谐振器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010834606.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112152585A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112152585A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | H03H9/17(2006.01)I;H03H9/56(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 高安明;刘伟;姜伟 | 申请（专利权）人 | 合肥尔微企业管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 李佳俊;郭国中 |
| 地址 | 325038 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室（自主申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于构造5G基站射频滤波器的单晶压电谐振器及制备方法，包括：谐振器衬底1、保护层2、谐振器平板底电极3、单晶压电材料4、通孔金属5、第一凸起结构6、谐振器交叉上电极7以及第二凸起结构8；所述谐振器衬底1能够支撑用于构造5G基站射频滤波器的单晶压电谐振器；所述谐振器衬底1的电阻大于设定阈值；所述谐振器衬底1的晶格常数与单晶压电材料4相匹配；所述保护层2覆盖在谐振器平板底电极3和谐振器交叉上电极7之上；本发明通过采用介质材料背后刻蚀空气腔工艺，从而保证了单晶压电材料的绝对平整。此空气反射腔具有完美反射声波、加工方便、可靠性高等优点。 |
