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一种表贴式厚膜熔断器结构及其制造方法

基本信息

申请号	CN202210177941.7	申请日	-
公开（公告）号	CN114464509A	公开（公告）日	2022-05-10
申请公布号	CN114464509A	申请公布日	2022-05-10
分类号	H01H85/041（2006.01）I;H01H69/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	雷巧林;杨舰;李厚忠;张敏;徐东;韩玉成	申请（专利权）人	中国振华集团云科电子有限公司
代理机构	贵阳中工知识产权代理事务所	代理人	-
地址	550018贵州省贵阳市乌当区新添大道北段２６８号附１号
法律状态	-

摘要

一种表贴式厚膜熔断器结构及其制造方法，属于电子元器件领域。包括衬底基片，背电极，表电极，隔热层，熔断体层，包封层，端电极，熔断体本体，熔丝隔离通孔，熔丝；衬底基片的材料为耐高温绝缘材料，背电极位于衬底基片背面的两端，表电极位于衬底基片表面的两端，隔热层位于衬底基片的表面，熔断体层位于隔热层的表面，包封层位于熔断体层的表面，端电极覆盖背电极、表电极及衬底基片的两端，熔丝隔离通孔贯穿熔断体本体，隔离通孔的形状、数量、尺寸及排列方式根据熔丝的具体性能进行设定，采用厚膜一体化集成工艺技术进行制造。解决了现有技术中提高额定电压与降低电弧相矛盾的问题。广泛应用于微型化、高工作电压、低电弧高可靠熔断器领域。