一种高速的闪存模拟器及其模拟方法
基本信息
| 申请号 | CN201810532014.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108804272A | 公开（公告）日 | 2018-11-13 |
| 申请公布号 | CN108804272A | 申请公布日 | 2018-11-13 |
| 分类号 | G06F11/26;G06F13/28 | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 谭四方 | 申请（专利权）人 | 深圳市德明利技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市添源知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市德名利电子有限公司;深圳市德明利技术股份有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙华新区民治街道布龙路智慧谷创新园7楼701室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种高速的闪存模拟器及其模拟方法。本发明提供一种闪存的模拟方法，用于模拟器，该模拟器用以电性连接带NandFlash接口的主机，该模拟方法包括：读数据的处理流程；读错误记录信息的处理流程；擦除块的处理流程；写（编程）数据的处理流程。本发明的有益效果是：1、闪存模拟器采用可编程逻辑本器件，成本便宜；2、全兼容闪存接口；3、数据存储用DRAM/SRAM代替闪存，读写速度快；4、实际运行时间可以缩短到原来的十分之一甚至到百分之一；5、大幅度的加快了测试验证速度，大幅度的节省研发/测试成本。 |
