一种LPDDR基板设计方法、LPDDR基板和电子设备
基本信息
| 申请号 | CN202010056038.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111246669B | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN111246669B | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H05K3/00（2006.01）I;H05K3/02（2006.01）I;H05K3/18（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 李虎;谭少鹏 | 申请（专利权）人 | 深圳市德明利技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 何兵;饶盛添 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园1栋A座2501、2401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种LPDDR基板设计方法、LPDDR基板和电子设备其中，一种LPDDR基板设计方法，包括：在LPDDR基板上确定芯片封装区；在芯片封装区两端的相邻区域分别设置有第一蚀刻区和第二蚀刻区，其中，第一蚀刻区和第二蚀刻区均用于设置第一电镀引线，第一电镀引线与LPDDR基板上的待电镀的电路网络电连接。本设计方法电镀引线蚀刻区域集中，后期检查方便，几乎没有残留引线线尾，很好地解决了传统基板设计造成的弊端，满足了LPDDR基板的性能要求和美观要求。 |
