一种利用超短脉冲激光制备硅基表面陷光结构的方法
基本信息
| 申请号 | CN201210052373.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102581484A | 公开（公告）日 | 2012-07-18 |
| 申请公布号 | CN102581484A | 申请公布日 | 2012-07-18 |
| 分类号 | B23K26/18(2006.01)I;B23K26/42(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工; |
| 发明人 | 周明;李保家;张伟;唐万羿;马明;蔡兰 | 申请（专利权）人 | 南通通迈自动化科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 江苏大学 |
| 地址 | 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及硅基表面陷光结构，特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足，提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，无需气体或液体作为环境介质，通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。 |
