一种非气密性封装的半导体激光器波长调谐方法及激光器

基本信息

申请号 CN202111194086.2 申请日 -
公开(公告)号 CN114204406A 公开(公告)日 2022-03-18
申请公布号 CN114204406A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01S5/024(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘济洲;肖如磊;樊荣虎;陈向飞 申请(专利权)人 南京华飞光电科技有限公司
代理机构 苏州彰尚知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 周勤径
地址 211135江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园智汇路300号B座2层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种非气密性封装的半导体激光器波长调谐方法及激光器,该方法为半导体激光器芯片的材料增益谱于预设工作温度范围△T内的波长重叠范围配置第一波长预留范围,并确定半导体激光器的波长可调谐范围△M,以及,判断△M,并为激光器阵列的覆盖范围延长第二波长预留范围,根据第一、第二波长预留范围设计半导体激光器芯片,以使得在预设工作温度范围△T内,半导体激光器芯片的材料增益谱和激光器阵列的波长覆盖范围始终覆盖预设最小调谐波长λ1至预设最大调谐波长λ2的范围,实现该范围内的调谐,该方案在实现半导体激光器非气密性封装的同时,使得芯片工作温度始终高于管壳外环境温度,且在设定温度范围内,实现较大的波长调谐范围。