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基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法

基本信息

申请号 CN202010320863.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111490457A 公开（公告）日 2020-08-04
申请公布号 CN111490457A 申请公布日 2020-08-04
分类号 H01S5/40(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈向飞;肖如磊;陆骏;方涛;施跃春 申请（专利权）人 南京华飞光电科技有限公司
代理机构 南京钟山专利代理有限公司 代理人 陈月菊
地址 211135 江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园汇智路300号B座2层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，包括热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器、光分路器、光探测器、主控制器。本发明能够在激光器受外界环境温度影响时，对外界环境温度造成的影响值进行计算，根据计算结果分别对可调谐激光器阵列和光放大器的驱动电流进行调控，以实现最终输出光与理论光参数一致的目的。由于未采用任何制冷设备，激光器的整体结构大幅度缩小，制备工艺进一步简化，甚至可以不采用密封封装结构，从而大幅度降低激光器件的成本。