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一种基于分布式相位补偿技术的半导体激光器

基本信息

申请号 CN202111132502.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113991423A 公开（公告）日 2022-01-28
申请公布号 CN113991423A 申请公布日 2022-01-28
分类号 H01S5/12（2021.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/028（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 吕根;周亚亭;肖如磊;樊荣虎;陈向飞 申请（专利权）人 南京华飞光电科技有限公司
代理机构 南京钟山专利代理有限公司 代理人 戴朝荣
地址 211135江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园智汇路300号B座2层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于分布式相位补偿技术的半导体激光器，涉及光纤通信和光子集成领域。该半导体激光器包括金属n电极、缓冲层、下分别限制层、发光有源层、上分别限制层、腐蚀阻挡层、光栅层、波导层、过渡层、p型欧姆接触层、金属p电极、高反射膜、抗反射膜。本发明半导体激光器的两端分别设有高反射膜和抗反射膜，以提高半导体激光器的能量利用率和输出功率；通过刻蚀波导形成电隔离，将半导体激光器分成两段或多段，通过改变每一段的电流注入分配，使得高反射镀膜带来的随机反射相位能够被有效地补偿，解决了随机反射相位造成的激射模式不稳定的问题，同时能够实现对波长的微小调控。