制造高密度大型微纳结构阵列的方法
基本信息
| 申请号 | CN201310224893.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103320825B | 公开（公告）日 | 2015-07-08 |
| 申请公布号 | CN103320825B | 申请公布日 | 2015-07-08 |
| 分类号 | C25D7/00(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;C25D5/04(2006.01)I;C25D17/00(2006.01)I;C25D21/12(2006.01)I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 俞敏莉;郑建红;李立峰 | 申请（专利权）人 | 宁波微极电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 宁波微极电子科技有限公司 |
| 地址 | 315194 浙江省宁波市鄞州区首南街道新兴工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制造高密度大型微纳结构阵列的方法，它包括以下步骤:1）制备一个由N×M个微电解导管组成的低密度微电解导管阵列模板；2）将步骤1）中制备的低密度微电解导管阵列模板安装在微区电解沉积系统上，控制每个微电解导管在导电基板上完成横排n个微纳结构且相邻微纳结构的间距为d1、纵排m个微纳结构且相邻微纳结构的间距为d2的高密度小型微纳结构阵列的电沉积生长，整个N×M微电解导管阵列上的微电解导管同步工作，即可制得由（n×N）×（m×M）个微纳结构组成的高密度大型微纳结构阵列，本发明能低成本，高效率的制造高密度大型微纳结构阵列。 |
