DRAM测试方法、电子设备和存储介质
基本信息
| 申请号 | CN202210046739.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114528164A | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN114528164A | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | G06F11/22（2006.01）I;G06F11/26（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 宋文杰 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶存科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518048广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路1-3号达升大楼2层FB区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根据本发明的DRAM测试方法，能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量。 |
