LPDDR降容电路及具有该电路的装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

LPDDR降容电路及具有该电路的装置

基本信息

申请号	CN202121394089.6	申请日	-
公开（公告）号	CN215815199U	公开（公告）日	2022-02-11
申请公布号	CN215815199U	申请公布日	2022-02-11
分类号	G11C11/413（2006.01）I	分类	信息存储;
发明人	谢登煌;宋文杰;刘孜	申请（专利权）人	深圳市晶存科技有限公司
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	张志辉
地址	518048广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路1-3号达升大楼2层FB区
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种LPDDR降容电路及具有其的装置，LPDDR降容电路包括SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片；其中，SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片均为32位的芯片，且都具有双通道；第二A通道的功能正常，第二B通道的功能异常；第三B通道的功能正常，第三A通道的功能异常；第一A通道与第二A通道连接，第一LPDDR芯片的16位数据线分别与SOC控制芯片的DQ0‑DQ15引脚一一对应连接；第一B通道与第三B通道连接，第二LPDDR芯片的16位数据线分别与SOC控制芯片的DQ16‑DQ31引脚一一对应连接。根据本实用新型的LPDDR降容电路，能够将一个只有A通道正常的LPDDR芯片和一个只有B通道正常的LPDDR芯片分别与SOC控制芯片连接起来，使得这两个LPDDR芯片均能正常使用，从而减少了资源浪费。